三星前高管拟在大陆复刻“三星存储厂”被捕起诉(图)

6月12日消息，据韩国媒体报道称，韩国水原地检署今天表示，韩国半导体大厂三星电子一名65岁常务A某涉嫌收受中资，意图在中国大陆境内建设“复刻版”三星电子半导体厂，已经以违反产业技术保护法、防治不当竞争法等罪嫌，已遭韩国检方拘留起诉。

报道称，A某除在三星电子担任常务，也曾任SK海力士副社长，在韩国半导体制造业界也算是极具影响力的人物。调查显示，A某涉嫌在2018年8月至2019年间不当取得、使用三星电子半导体厂的设计基本资料（BED）与工厂配置图、设计图等商业机密，设计30nm以下等级、DRAM与NAND Flash等被韩国政府定为国家核心技术的制造技术。

据悉，A某规划建设的工厂甚至距离三星电子西安厂仅1.5公里远，但建厂计划受原订于来自中国台湾企业的资金未到位影响而未能实现。

另据YTN，亚洲经济等韩国媒体的报导，A某曾在2015年与鸿海集团旗下富士康签约，计划在新加坡设立公司后挖角200多名三星电子员工。2019年10月，为了在西安建厂，A某于中国北京设立公司，期间收受来自成都市的约4,600亿韩元（约人民币25.6亿元）资金，计划利用窃取的三星电子技术生产最新产品，但因建厂计划失败而未能量产。

韩国检方指出，这次案件并非单纯泄露半导体相关技术，而是试图在中国大陆完全复制韩国企业的半导体工厂，在国际半导体产业竞争激烈的背景之下，是危及韩国半导体根基的重大犯罪行为。

报道称，A某在中国设立公司所属的5名员工及一名三星电子合作厂商员工也被以涉嫌违反反不正当竞争法遭到拘留起诉。

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韩国水原地方检察官办公室周一发布的一份声明中称，这名嫌疑人涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。

韩通社的相关报道称，这名嫌疑人企图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建山寨版三星芯片厂。但由于台湾投资商的承诺落空，工厂建设项目没能实际进行。但据悉，嫌疑人曾在成都获得4600亿韩元投资建设半导体制造工厂，其中研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。

水原检方的声明中称，同这名嫌疑人一道，共有六人因涉嫌违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》 被起诉。检察院的声明称："这是一项严重的罪行，在芯片竞争日趋激烈的当下，它可能会动摇韩国的芯片技术基础，并对韩国经济安全造成重大打击。"



韩国总统尹锡悦: 围绕芯片技术已爆发“全面战争”

韩通社的报道称，这名嫌疑人曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，嫌疑人窃取技术给三星电子至少造成3000亿韩元损失。

上周四，韩国总统尹锡悦召开半导体国家战略会议。尹锡悦形容美中紧张局势将芯片产业的竞争推向"全面战争"，韩国政府将携手美国等盟邦，全力支持韩国芯片产业的发展。

韩国的三星和SK海力士是世界上最大的两家内存芯片制造商，并在中国的芯片企业进行了数十亿美元的投资。

（路透社，韩通社）